轉(zhuǎn)載：搜狐、電子發(fā)燒友網(wǎng) 2017-05-05 19:17
一、EMC的分類及標(biāo)準(zhǔn)
EMC（Electromagnetic Compatibility）是電磁兼容，它包括EMI（電磁騷擾）和EMS（電磁抗騷擾）。EMC定義為：設(shè)備或系統(tǒng)在其電磁環(huán)境中能正常工作且不對該環(huán)境中的任何設(shè)備的任何事物構(gòu)成不能承受的電磁騷擾的能力。EMC整的稱呼為電磁兼容。EMP是指電磁脈沖。
EMC = EMI + EMS EMI：電磁干擾 EMS：電磁相容性 （免疫力）
EMI可分為傳導(dǎo)Conduction及輻射Radiation兩部分。
Conduction規(guī)范一般可分為： FCC Part 15J Class B；CISPR 22（EN55022， EN61000-3-2， EN61000-3-3） Class B；國標(biāo)IT類（GB9254，GB17625）和AV類（GB13837，GB17625）。
FCC測試頻率在450K-30MHz，CISPR 22測試頻率在150K--30MHz，Conduction可以用頻譜分析儀測試，Radiation則必須到專門的實(shí)驗(yàn)室測試。
EMI為電磁干擾，EMI是EMC其中的一部分，EMI（Electronic Magnetic Interference） 電磁干擾， EMI包括傳導(dǎo)、輻射、電流諧波、電壓閃爍等等。電磁干擾是由干擾源、藕合通道和接收器三部分構(gòu)成的，通常稱作干擾的三要素。 EMI線性正比于電流，電流回路面積以及頻率的平方即：EMI = K*I*S*F2。I是電流，S是回路面積，F(xiàn)是頻率，K是與電路板材料和其他因素有關(guān)的一個常數(shù)。
輻射干擾（30MHz—1GHz）是通過空間并以電磁波的特性和規(guī)律傳播的。但不是任何裝置都能輻射電磁波的。
傳導(dǎo)干擾（150K--30MHz）是沿著導(dǎo)體傳播的干擾。所以傳導(dǎo)干擾的傳播要求在干擾源和接收器之間有一完整的電路連接。
EMI是指產(chǎn)品的對外電磁干擾。一般情況下分為Class A & Class B 兩個等級。 Class A為工業(yè)等級，Class B為民用等級。民用的要比工業(yè)的嚴(yán)格，因?yàn)楣I(yè)用的允許輻射稍微大一點(diǎn)。
同樣產(chǎn)品在測試EMI中的輻射測試來講，在30-230MHz下，B類要求產(chǎn)品的輻射限值不能超過40dBm 而A類要求不能超過50dBm（以三米法電波暗室測量為例）相對要寬松的多，一般來說CLASSA是指在EMI測試條件下，無需操作人員介入，設(shè)備能按預(yù)期持續(xù)正常工作，不允許出現(xiàn)低于規(guī)定的性能等級的性能降低或功能損失。
EMI是設(shè)備正常工作時測它的輻射和傳導(dǎo)。在測試的時候，EMI的輻射和傳導(dǎo)在接收機(jī)上有兩個上限，分別代表Class A和Class B，如果觀察的波形超過B的線但是低于A的線，那么產(chǎn)品就是A類的。
EMS是用測試設(shè)備對產(chǎn)品干擾，觀察產(chǎn)品在干擾下能否正常工作，如果正常工作或不出現(xiàn)超過標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的性能下降，為A級。能自動重啟且重啟后不出現(xiàn)超過標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的性能下降，為B級。不能自動重啟需人為重啟為C級，掛掉為D級。國標(biāo)有D級的規(guī)定，EN只有A，B，C。EMI在工作頻率的奇數(shù)倍是最不好過的。
EMS（Electmmagnetic Suseeptibilkr） 電磁敏感度一般俗稱為“電磁免疫力”，是設(shè)備抗外界騷擾干擾之能力，EMI是設(shè)備對外的騷擾。
EMS中的等級是指：
Class A，測試完成后設(shè)備仍在正常工作；
Class B，測試完成或測試中需要重啟后可以正常工作；
Class C，需要人為調(diào)整后可以正常重啟并正常工作；
Class D，設(shè)備已損壞，無論怎樣調(diào)整也無法啟動。
嚴(yán)格程度EMI是B 》 A，EMS是A 》 B 》 C 》 D。
二、開關(guān)電源輸入EMI電路
X電容的作用：
抑制差模雜訊，電容量越大，抑制低頻雜訊效果越好。
Y電容的作用：
抑制共模雜訊，電容量越大，抑制低頻雜訊效果越好。Y電容使次級到初級地線提供一個低阻抗回路，使流向地再通過LISN回來的電流直接短路掉，由于Y電容非完全理想，次級各部分間也存在阻抗，所以不可能全部回來。還是有一部分流到地。Y電容必須直接用盡量短的直線連接到初級和次級的冷地， 如果開通時MOS的dv/dt大于關(guān)斷時的dv/dt， 則Y電容連接到初級的地； 反之連接到V+。
共模電感的作用：
抑制共模雜訊，電感量越大，抑制低頻雜訊效果越好。增加共模電流部分的阻抗，減小共模電流。
差模電感的作用：
抑制差模雜訊，電感量越大，抑制低頻雜訊效果越好。
三、開關(guān)電源設(shè)計前EMI一般應(yīng)對策略
采用交流輸入EMI濾波器
通常干擾電流在導(dǎo)線上傳輸時有兩種方式：共模方式和差模方式。共模干擾是載流體與大地之間的干擾：干擾大小和方向一致，存在于電源任何一相對大地、或中線 對大地間，主要是由du/dt產(chǎn)生的，di/dt也產(chǎn)生一定的共模干擾。而差模干擾是載流體之間的干擾：干擾大小相等、方向相反，存在于電源相線與中線及 相線與相線之
圖1 電源線濾波器基本電路圖
利用吸收回路改善開關(guān)波形
開關(guān)管或 二極管在開通和關(guān)斷過程中，由于存在變壓器漏感和線路電感，二極管存儲電容和分布電容，容易在開關(guān)管集電極、發(fā)射極兩端和二極管上產(chǎn)生尖峰電壓。通常情況下采用RC/RCD吸收回路，RCD浪涌電壓吸收回路如圖2所示。
圖2 RCD浪涌電壓吸收回路
當(dāng)吸收回路上的電壓超過一定幅度時，各器件迅速導(dǎo)通，從而將浪涌能量泄放掉，同時將浪涌電壓限制在一定的幅度。在開關(guān)管集電極和輸出二極管的正極引線上串接 可飽和磁芯線圈或微晶磁珠，材質(zhì)一般為鈷（Co），當(dāng)通過正常電流時磁芯飽和，電感量很小。一旦電流要反向流過時，它將產(chǎn)生很大的反電勢，這樣就能有效地 抑制二極管VD的反向浪涌電流。
利用開關(guān)頻率調(diào)制技術(shù)
頻率控制技術(shù)是基于開關(guān)干擾的能量主要集中在特定的頻率上，并具有較大的頻譜峰值。如果能將這些能量分散在較寬的頻帶上，則可以達(dá)到降低于擾頻譜峰值的目的。通常有兩種處理方法：隨機(jī)頻率法和調(diào)制頻率法。
隨機(jī)頻率法是在電路開關(guān)間隔中加人一個隨機(jī)擾動分量，使開關(guān)干擾能量分散在一定范圍的頻帶中。研究表明，開關(guān)干擾頻譜由原來離散的尖峰脈沖干擾變成連續(xù)分布干擾，其峰值大大下降。
調(diào)制頻率法是在鋸齒波中加人調(diào)制波（白噪聲），在產(chǎn)生干擾的離散頻段周圍形成邊頻帶，將干擾的離散頻帶調(diào)制展開成一個分布頻帶。這樣，干擾能量就分散到這些分布頻段上。在不影響變換器工作特性的情況下，這種控制方法可以很好地抑制開通、關(guān)斷時的干擾。
采用軟開關(guān)技術(shù)
開關(guān)電源的干擾之一是來自功率開關(guān)管通/斷時的du/dt，因此，減小功率開關(guān)管通/斷的du/dt是抑制開關(guān)電源干擾的一項重要措施。而軟開關(guān)技術(shù)可以減小開關(guān)管通/斷的du/dt。
如果在開關(guān)電路的基礎(chǔ)上增加一個很小的電感、電容等諧振元件就構(gòu)成輔助網(wǎng)絡(luò)。在開關(guān)過程前后引人諧振過程，使開關(guān)開通前電壓先降為零，這樣就可以消除開通過程中電壓、電流重疊的現(xiàn)象，降低、甚至消除開關(guān)損耗和干擾，這種電路稱為軟開關(guān)電路。
根據(jù)上述原理可以采用兩種方法，即在開關(guān)關(guān)斷前使其電流為零，則開關(guān)關(guān)斷時就不會產(chǎn)生損耗和干擾，這種關(guān)斷方式稱為零電流關(guān)斷；或在開關(guān)開通前使其電壓為 零，則開關(guān)開通時也不會產(chǎn)生損耗和干擾，這種開通方式稱為零電壓開通。在很多情況下，不再指出開通或關(guān)斷，僅稱零電流開關(guān)和零電壓開關(guān)，基本電路如圖3和 圖4所示。
圖3 零電壓開關(guān)諧振電路
圖4 零電流開關(guān)諧振電路
通常采用軟開關(guān)電路控制技術(shù)，結(jié)合合理的元器件布局及印制電路板布線、接地技術(shù)，對開關(guān)電源的EMI干擾具有一定的改善作用。
采用電磁屏蔽措施
一般采用電磁屏蔽措施都能有效地抑制開關(guān)電源的電磁輻射干擾。開關(guān)電源的屏蔽措施主要是針對開關(guān)管和高頻變壓器而言。開關(guān)管工作時產(chǎn)生大量的熱量，需要給 它裝散熱片，從而使開關(guān)管的集電極與散熱片間產(chǎn)生較大的分布電容。
因此，在開關(guān)管的集電極與散熱片間放置絕緣屏蔽金屬層，并且散熱片接機(jī)殼地，金屬層接到 熱端零電位，減小集電極與散熱片間藕合電容，從而減小散熱片產(chǎn)生的輻射干擾。針對高頻變壓器，首先應(yīng)根據(jù)導(dǎo)磁體屏蔽性質(zhì)來選擇導(dǎo)磁體結(jié)構(gòu)，如用罐型鐵芯和 El型鐵芯，則導(dǎo)磁體的屏蔽效果很好。變壓器外加屏蔽時，屏蔽盒不應(yīng)緊貼在變壓器外面，應(yīng)留有一定的氣隙。如采用有氣隙的多層屏蔽物時，所得的屏蔽效果會 更好。
另外，在高頻變壓器中，常常需要消除初、次級線圈間的分布電容，可沿著線圈的全長，在線圈間墊上銅箔制成的開路帶環(huán)，以減小它們之間的禍合，這個開 路帶環(huán)既與變壓器的鐵芯連接，又與電源的地連接，起到靜電屏蔽作用。如果條件允許，對整個開關(guān)電源加裝屏蔽罩，那樣就會更好地抑制輻射干擾。
四、開關(guān)電源設(shè)計后EMI的實(shí)際整改策略--傳導(dǎo)部分
1MHZ 以內(nèi)以差模干擾為主
1、150KHZ-1MHz，以差模為主，1-5MHz，差模和共模共同起作用，5MHz 以后基本上是共模。差模干擾的分容性藕合和感性藕合。一般1MHZ以上的干擾是共模，低頻段是差摸干擾。用一個電阻串個電容后再并到Y(jié)電容的引腳上，用示波器測電阻兩引腳的電壓可以估測共模干擾；
2、保險過后加差模電感或電阻；
3、小功率電源可采用PI型濾波器處理（建議靠近變壓器的電解電容可選用較大些）。
4、前端的π型EMI零件中差模電感只負(fù)責(zé)低頻EMI，體積別選太大（DR8太大，能用電阻型式或DR6更好）否則幅射不好過，必要時可串磁珠，因?yàn)楦哳l會直接飛到前端不會跟著線走。
5、傳導(dǎo)冷機(jī)時在0.15-1MHZ超標(biāo)，熱機(jī)時就有7DB余量。主要原因是初級BULK電容DF值過大造成的，冷機(jī)時ESR比較大，熱機(jī)時ESR比較小，開關(guān)電流在ESR上形成開關(guān)電壓，它會壓在一個電流LN線間流動，這就是差模干擾。解決辦法是用ESR低的電解電容或者在兩個電解電容之間加一個差模電感。
6、測試150KHZ總超標(biāo)的解決方案：加大X電容看一下能不能下來，如果下來了說明是差模干擾。如果沒有太大作用那么是共模干擾，或者把電源線在一個大磁環(huán)上繞幾圈， 下來了說明是共模干擾。如果干擾曲線后面很好，就減小Y電容，看一下布板是否有問題，或者就在前面加磁環(huán)。
7、可以加大PFC輸入部分的單繞組電感的電感量。
8、PWM線路中的元件將主頻調(diào)到60KHZ左右。
9、用一塊銅皮緊貼在變壓器磁芯上。
10、共模電感的兩邊感量不對稱，有一邊匝數(shù)少一匝也可引起傳導(dǎo)150KHZ-3MHZ超標(biāo)。
11、一般傳導(dǎo)的產(chǎn)生有兩個主要的點(diǎn)：200K和20M左右，這幾個點(diǎn)也體現(xiàn)了電路的性能；200K左右主要是漏感產(chǎn)生的尖刺；20M左右主要是電路開關(guān)的噪聲。處理不好變壓器會增加大量的輻射，加屏蔽都沒用，輻射過不了。
12、將輸入BUCK電容改為低內(nèi)阻的電容。
13、對于無Y-CAP電源，繞制變壓器時先繞初級，再繞輔助繞組并將輔助繞組密繞靠一邊，后繞次級。
14、將共模電感上并聯(lián)一個幾Ｋ到幾十Ｋ電阻。
15、將共模電感用銅箔屏蔽后接到大電容的地。
16、在PCB設(shè)計時應(yīng)將共模電感和變壓器隔開一點(diǎn)以免互相干擾。
17、保險套磁珠。
18、三線輸入的將兩根進(jìn)線接地的Y電容容量從2.2nF減小到471。
19、對于有兩級濾波的可將后級0.22uFX電容去掉（有時前后X電容會引起震蕩） 。
20、對于π型濾波電路有一個BUCK電容躺倒放在PCB上且靠近變壓器此電容對傳導(dǎo)150KHZ-2MHZ的Ｌ通道有干擾，改良方法是將此電容用銅泊包起來屏蔽接到地，或者用一塊小的PCB將此電容與變壓器和PCB隔開?；蛘邔⒋穗娙萘⑵饋恚?也可以用一個小電容代替。
21、對于π型濾波電路有一個BUCK電容躺倒放在PCB上且靠近變壓器此電容對傳導(dǎo)150KHZ-2MHZ的Ｌ通道有干擾，改良方法是將此電容用一個1uF/400V或者說0.1uF/400V電容代替， 將另外一個電容加大。
22、將共模電感前加一個小的幾百uH差模電感。
23、將開關(guān)管和散熱器用一段銅箔包繞起來，并且銅箔兩端短接在一起，再用一根銅線連接到地。
24、將共模電感用一塊銅皮包起來再連接到地。
25、將開關(guān)管用金屬套起來連接到地。
26、加大X2電容只能解決150K左右的頻段，不能解決20M以上的頻段，只有在電源輸入加以一級鎳鋅鐵氧體黑色磁環(huán)，電感量約50uH-1mH。
27、在輸入端加大X電容。
28、加大輸入端共模電感。
29、將輔助繞組供電二極管反接到地。
30、將輔助繞組供電濾波電容改用瘦長型電解電容或者加大容量。
31、加大輸入端濾波電容。
32、150KHZ-300KHZ和20MHZ-30MHZ這兩處傳導(dǎo)都不過，可在共模電路前加一個差模電路。也可以看看接地是否有問題，該接地的地方一定要加強(qiáng)接牢，主板上的地線一定要理順，不同的地線之間走線一定要順暢不要互相交錯的。
33、在整流橋上并電容，當(dāng)考慮共模成分時，應(yīng)該鄰角并電容，當(dāng)考慮差模成分時，應(yīng)該對角并電容。
34、加大輸入端差模電感。
1MHZ---5MHZ差模共?；旌?/span>
采用輸入端并聯(lián)一系列X電容來濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標(biāo)并以解決。
1、對于差模干擾超標(biāo)可調(diào)整X 電容量，添加差模電感器，調(diào)差模電感量。
2、對于共模干擾超標(biāo)可添加共模電感，選用合理的電感量來抑制；
3、也可改變整流二極管特性來處理一對快速二極管如FR107 一對普通整流二極管1N4007。
4、對于有Y電容的電源，干擾在1M以前以差模為主，2-5M是差模和共模干擾。對于NO-Y來說，情況不一樣，1M以前的共模也非常厲害。在前面加很多X電容，濾光差模，改不改變壓器對差模沒有影響了，如果還有變化，就是共模了。差共模分離的方法：在AC輸入端加很多X電容，從小到大，這樣可以把差模濾去，剩下的就是共模了，再與總的噪音相比較，就能看出差模的大小。
5、繞制變壓器時將所有同名端放在一邊，可降低1.0MHZ-5.0MHZ傳導(dǎo)干擾。
6、對于小功率用兩個差模電感，減少差模電感匝數(shù)可降低傳導(dǎo)1.2MHZ干擾。
7、加大Y電容，可降低傳導(dǎo)中段1MHZ-5MHZ干擾。
8、對于無Ｙ電容的開關(guān)電源EMI在1MHZ-6MHZ超標(biāo)，如加了Ｙ電容后EM降下來了的話，就可在變壓器初次級間加多幾層膠紙。
9、將MOS管散熱片接MOS管S極。
10、在輸入端濾波電容上并聯(lián)小容量高壓瓷片或者高壓貼片電容。
5M---20MHZ以共摸干擾為主，采用抑制共摸的方法
1、對于外殼接地的，在地線上用一個磁環(huán)串繞2-3 圈會對10MHZ 以上干擾有較大的衰減作用；
2、可選擇緊貼變壓器的鐵芯粘銅箔，銅箔要閉環(huán)。
3、處理后端輸出整流管的吸收電路和初級大電路并聯(lián)電容的大小。
4、在變壓器初級繞組上用一根很細(xì)的三重絕緣線并繞一個屏蔽繞組，屏蔽繞組的一端接電源端另外一端通過一個電容接到地。
5、可將共模電感改為一邊匝數(shù)比另一邊多一匝，另其有差模的作用。
6、將開關(guān)管D極加一小散熱片且必需接高壓端的負(fù)極，變壓器的初級起始端連接到MOS管D極。
7、將次級的散熱片用一個102的Y電容接到初級的L/N線， 可降低導(dǎo)干擾
8、如果加大Ｙ電容傳導(dǎo)干擾下來了，則可以改變變壓器繞法來改良，可在初次級間加多幾層膠帶；如果加大Ｙ電容傳導(dǎo)干擾未改善，就要改電路可改好不必改變壓器繞法。
9、將變壓器電感量適當(dāng)加大，可降低RCC開關(guān)電源在半載時的傳導(dǎo)干擾。
10、用變壓器次級輔助繞組來屏蔽初級主繞組，比用變壓器初級輔助繞組來屏蔽初級主繞組，傳導(dǎo)整體要好得多。
11、傳導(dǎo)整體超標(biāo)，用示波器看開關(guān)管G和D極波形都有重疊的現(xiàn)象，光藕供電電阻從輸出濾波共模電感下穿過接輸出正極改接不從大電流下穿過后一切OK。
12、在輸入端L線和N線各接一681/250V的Y電容，Y電容另外一端接次級地。
13、將次級的輔助繞組用來屏蔽初級主繞組，可降低傳導(dǎo)3-15MHZ干擾。用次級的輔助繞組來屏蔽初級主繞組，比用初級的輔助繞組來屏蔽初級主繞組傳導(dǎo)要好得多。
14、在PCB板底層放一層銅片接初級大電容負(fù)極。
15、將整個電源用一塊銅片包起來， 銅片接初級大電容負(fù)極。
16、減小Y電容容量。
對于20--30MHZ：
1、對于一類產(chǎn)品可以采用調(diào)整對地Y2電容量或改變Y2電容位置；
2、調(diào)整一二次側(cè)間的Y1 電容位置及參數(shù)值；
3、在變壓器外面包銅箔，變壓器最里層加屏蔽層，調(diào)整變壓器的各繞組的排布。
4、改變PCB LAYOUT；
5、輸出線前面接一個雙線并繞的小共模電感；
6、在輸出整流管兩端并聯(lián)RC濾波器且調(diào)整合理的參數(shù)；
7、在變壓器與MOSFET之間加磁珠；
8、在變壓器的輸入電壓腳加一個小電容。
9、可以用增大MOS 驅(qū)動電阻。
10、可能是電子負(fù)載引起的，可改用電阻負(fù)載。
11、可將MOS管D 端對地接一個101的電容。
12、可將輸出整流二極管換一個積電容小一點(diǎn)的。
13、可將輸出整流二極管的RC回路去掉。
14、將輸入端加兩個Y電容對地，可降低傳導(dǎo)25MHZ-30MHZ干擾。
15、緊貼變壓器的磁芯上加一銅皮，銅皮連接到地。
16、傳導(dǎo)后段25MHZ超標(biāo)可在輸出端加共模電感，也可在開關(guān)管源極檢測電阻上套一長的導(dǎo)磁力合適的磁珠。
五、開關(guān)電源設(shè)計后EMI的實(shí)際整改策略--輻射部分
30---50MHZ 普遍是MOS 管高速開通關(guān)斷引起，
1、可以用增大MOS 驅(qū)動電阻；
2、RCD 緩沖電路采用1N4007 慢管；
3、VCC 供電電壓用1N4007 慢管來解決；
4、或者輸出線前端串接一個雙線并繞的小共模電感；
5、在MOSFET 的D-S 腳并聯(lián)一個小吸收電路；
6、在變壓器與MOSFET 之間加BEAD CORE；
7、在變壓器的輸入電壓腳加一個小電容；
8、PCB 心LAYOUT 時大電解電容，變壓器，MOS 構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的?。?/span>
9、變壓器，輸出二極管，輸出平波電解電容構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的小。
50---100MHZ 普遍是輸出整流管反向恢復(fù)電流引起，
1、可以在整流管上串磁珠；
2、調(diào)整輸出整流管的吸收電路參數(shù)；
3、可改變一二次側(cè)跨接Y電容支路的阻抗，如PIN腳處加BEAD CORE或串接適當(dāng)?shù)碾娮瑁?/span>
4、也可改變MOSFET，輸出整流二極管的本體向空間的輻射（如鐵夾卡MOSFET； 鐵夾卡DIODE，改變散熱器的接地點(diǎn)）。
5、增加屏蔽銅箔抑制向空間輻射。
200MHZ 以上開關(guān)電源已基本輻射量很小，一般可過EMI 標(biāo)準(zhǔn)。
開關(guān)電源EMI的對策處理小結(jié)
1、外部構(gòu)造的屏蔽處理；
2、產(chǎn)品外部的電纜線處理；
3、產(chǎn)品內(nèi)部的電纜線處理；
4、PCB布線處理；
5、開關(guān)電源的振蕩頻率的選擇；
6、IC型號的選擇；
7、磁性材料的頻率和帶寬的選擇；
8、變壓器的選型、繞法和設(shè)計；
9、散熱器的接地方式的處理。
